SRAM（静态随机存取存储器）和DRAM（动态随机存取存储器）都是计算机中常用的随机存取存储器，它们的工作原理存在一定差异，具体如下：
存储单元结构：SRAM的存储单元通常由6个晶体管组成，形成两个交叉耦合的反相器，能够稳定地存储一位二进制数据，即0或1。其中，两个反相器的输出互为相反状态，分别代表存储的0和1。只要电源持续供电，存储单元就会保持其存储状态，不需要额外的刷新操作。
读操作：当进行读操作时，通过字线（Word Line）选中要读取的存储单元所在的行，使该行的所有存储单元被激活。然后，根据存储单元的状态，位线（Bit Line）上会产生相应的电平信号，通过 Sense Amp（灵敏放大器）对微弱的电平信号进行放大和判断，最终将存储的数据输出到数据总线上，完成读操作。
写操作：写操作时，同样先通过字线选中要写入的存储单元所在的行。然后，将要写入的数据通过数据总线传输到位线上，根据写入数据是0还是1，位线会施加相应的电平信号，改变存储单元中晶体管的状态，从而将数据写入存储单元。
存储单元结构：DRAM的存储单元由一个晶体管和一个电容组成。电容用于存储电荷来表示数据，电容充电表示存储1，放电表示存储0。但由于电容存在漏电现象，存储的电荷会逐渐丢失，所以需要定期进行刷新操作来保持数据的正确性。
读操作：读操作时，首先通过字线选中要读取的存储单元所在的行，使该行的所有存储单元中的电容与位线连接。由于电容上存储的电荷会使位线产生微弱的电压变化，通过 Sense Amp对这种微弱的电压变化进行检测和放大，判断出存储的数据是0还是1，并将数据输出到数据总线上。在读取过程中，电容上的电荷会被消耗，导致存储的数据被破坏，所以读出操作实际上是一种破坏性读出，需要在读取后对存储单元进行重写操作来恢复数据。
写操作：写操作时，同样先通过字线选中要写入的存储单元所在的行。然后，根据要写入的数据是0还是1，在位线上施加相应的电压信号，对存储单元中的电容进行充电或放电操作，从而将数据写入电容中。
刷新操作：由于电容的漏电特性，DRAM需要定期进行刷新操作。刷新操作就是每隔一定时间，对DRAM中的所有存储单元进行读取和重写操作，将电容上的电荷恢复到原来的状态，以确保数据的正确性。刷新操作通常由DRAM控制器自动完成，不需要CPU的干预。
