在Multisim中模拟温升，可按以下步骤进行：

1. 设置元件温度系数

对于会随温度变化而改变特性的元件（如电阻 ） ： - 在Multisim界面中，双击要设置的元件（如电阻 ） ，打开属性编辑框。 - 在属性编辑框内找到 “Temperature Coefficient (TC)” 字段 。该系数表示元器件特性随环境温度升高或降低的变化速率，单位一般为ppm/°C 。根据元件实际参数或需求，设定合适的温度系数值。比如金属膜电阻，其温度系数一般在几十ppm/°C 。

2. 执行温度扫描分析

选择分析类型：在Multisim菜单栏中，依次点击 “Simulate”（仿真） - “Analyses”（分析） - “Temperature Sweep”（温度扫描） ，打开温度扫描分析对话框。

设置温度参数：

在 “Points to Sweep” 栏中，选择扫描变化类型（Sweep Variation Type ） ，可选择如 “Linear”（线性） 。若选择线性，需设定起始温度、终止温度和温度增量 。例如，起始温度设为 0°C ，终止温度设为 100°C ，增量设为 10°C ，即会在 0°C 到 100°C 之间，每隔 10°C 进行一次仿真分析。

确定要分析的电路节点、电压、电流等输出变量 。比如，可选择要观察的某个关键节点的电压，或某条支路的电流 。

运行仿真：完成上述设置后，点击对话框中的 “Simulate”（仿真）按钮 ，Multisim会自动计算在不同设定温度下电路的运行情况，生成相应的仿真结果图表，如电压 - 温度曲线、电流 - 温度曲线等 ，据此分析温升对电路性能的影响 。

3. 结合其他分析

直流工作点分析：在进行温度扫描分析前或后，可进行直流工作点分析（Simulate - Analyses - DC Operating Point ） ，勾选有关温度影响选项，观察在不同温度下电路直流工作点（如各节点电压、晶体管静态工作点电流等 ） 的变化情况，了解温度对电路静态性能的影响 。

瞬态分析和交流分析：温度扫描分析可与瞬态分析（观察电路在不同温度下随时间变化的响应 ） 、交流分析（研究不同温度下电路的频率响应 ） 等结合 。在温度扫描分析对话框中，可指定在不同温度下要执行的分析类型 ，全面评估温度变化对电路动态和频域特性的影响 。