下面是一个磁珠的电路原理图

这里的“DCR<1R”是“直流电阻(DC Resistance)小于1欧姆”的意思。
磁珠的DCR是指它在直流电路中呈现的电阻值(因为磁珠本质是带铁氧体磁芯的导线,直流下只有导线本身的电阻)。这个参数的核心影响是:
当直流电流通过磁珠时,会因DCR产生压降(根据欧姆定律:压降=电流×DCR)。
“DCR<1R”说明这个磁珠的直流电阻很小(不超过1欧姆),能减少直流电路中的功耗和电压损失,避免影响后端电路的供电稳定性。
比如,若电路中通过1A的直流电流,这个磁珠的压降最多只有1V(实际因为DCR<1Ω,压降会更小),对多数电路来说是可接受的。
这个磁珠(FB1,600R@100MHz、DCR<1R)的实际使用注意事项,重点围绕电流、频率、电路适配这几个核心点:
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磁珠的额定电流(参数里没直接标,但可通过DCR估算/查手册)是关键限制:
假设该磁珠额定电流为
,结合DCR<1Ω,它的直流功耗=I²×DCR。如果电流过大,不仅会产生过多热量(可能烫坏磁珠/PCB),还会让磁珠进入磁饱和状态——此时磁珠的高频阻抗会大幅下降,失去抑制噪声的作用。
建议实际工作电流不超过该磁珠额定电流的80%(具体额定电流需查FB1对应的型号手册,比如类似参数的磁珠额定电流通常在几百毫安到1A左右)。
它的“600R@100MHz”是指在100MHz频率下阻抗为600Ω:
对低频信号/直流:磁珠阻抗极低(近似DCR<1Ω),能正常通过;
对100MHz左右的高频噪声:呈现高阻抗,能有效抑制;
但如果你的目标噪声频率远低于100MHz(比如10MHz以下),这个磁珠的阻抗会远小于600Ω,抑制效果会打折扣,可能需要换低频率下阻抗更高的磁珠。
这个磁珠(高阻抗、低DCR)的适配场景:
✅ 推荐场景:芯片的高速信号线(如SPI、I2C)、小电流电源引脚(如MCU的VCC,电流≤1A)的高频噪声抑制;
❌ 不推荐场景:大电流电路(如电源主回路,电流>2A)——容易饱和;低频噪声为主的电路(如音频电路)——抑制效果不足。
单独用磁珠的滤波效果有限,建议在磁珠后端并联一个高频电容(比如100nF的X7R陶瓷电容):
磁珠负责抑制高频噪声,电容负责将噪声“接地”,形成更有效的滤波网络,适合芯片电源的去耦场景。