FRAM即铁电随机存取存储器（Ferroelectric Random Access Memory），是一种非易失性存储器，利用铁电材料的铁电效应来存储数据。以下是FRAM较之闪存EEPROM的主要优势：
FRAM：FRAM的读写速度极快，一般来说，其写入速度可以达到纳秒级，这使得它能够快速地响应数据的读写请求，在一些对实时性要求极高的应用场景中，如高速数据采集、实时控制系统等，FRAM能够及时地记录和处理数据，不会因为存储速度的限制而导致数据丢失或处理不及时。
闪存EEPROM：闪存EEPROM的写入速度相对较慢，通常在微秒级甚至毫秒级，在进行大量数据写入时，会明显影响系统的整体性能。
FRAM：FRAM具有极高的读写寿命，一般可以达到10的15次方次以上，这意味着在设备的整个生命周期内，FRAM可以承受大量的读写操作，而不会出现性能下降或数据丢失的问题。
闪存EEPROM：闪存EEPROM的写入寿命有限，一般在10万次至100万次左右，随着写入次数的增加，其存储性能会逐渐下降，甚至可能出现数据错误或丢失的情况。
FRAM：FRAM在读写操作时的功耗非常低，尤其是在写入数据时，不需要像闪存EEPROM那样进行擦除操作，从而大大降低了功耗。这对于一些电池供电的设备，如物联网传感器节点、便携式医疗设备等，具有重要意义，可以有效延长设备的电池续航时间。
闪存EEPROM：闪存EEPROM在写入数据前需要先进行擦除操作，这一过程需要消耗较多的能量，因此其整体功耗相对较高。
FRAM：FRAM的数据存储是基于铁电材料的极化状态，这种存储方式具有天然的抗干扰性和数据稳定性，即使在电源突然中断或受到外部电磁干扰的情况下，FRAM中的数据也能够保持完整，不会出现数据丢失或损坏的情况。
闪存EEPROM：闪存EEPROM在数据写入过程中，如果遇到电源故障或其他异常情况，可能会导致数据写入不完整，从而造成数据丢失或损坏。
FRAM：FRAM具有真正的随机访问能力，它可以像SRAM或DRAM一样，对任意存储单元进行快速的随机读写操作，这使得它在一些需要频繁进行随机数据访问的应用中，如数据库管理、实时数据处理等，具有很大的优势。
闪存EEPROM：闪存EEPROM虽然也可以进行随机访问，但由于其内部的存储结构和擦除机制的限制，其随机写入性能相对较差，通常需要进行额外的软件处理来优化随机写入操作。
