在电子电路中，VCC、VDD、VEE、VSS 等符号用于标识不同类型的供电电压，其命名源于早期半导体技术的发展历史、电路类型（双极型 vs 场效应型）以及功能定义，并非随意设定。这些符号的差异主要与电路的器件类型、电源极性和功能有关，以下是具体解析：

一、核心命名来源：器件类型与电路技术

早期半导体电路主要分为两类：双极型晶体管（BJT）电路和场效应晶体管（FET/MOS）电路，两类电路的供电电压符号因工作原理不同而区分命名。 #

1. 双极型晶体管（BJT）电路：VCC、VEE

双极型晶体管（如三极管）通过电流驱动工作，电路中存在“集电极（Collector）”“发射极（Emitter）”等电极。

VCC：

全称“Voltage at Collector Circuit”，指集电极电路的供电电压，通常为双极型电路的正电源（例如TTL芯片的+5V供电）。    例：早期的TTL逻辑芯片（如74系列）、运算放大器（如μA741）的正电源引脚标注为VCC。

VEE：

全称“Voltage at Emitter Circuit”，指发射极电路的供电电压，通常为双极型电路的负电源或接地端（在双电源电路中为负电压，单电源电路中可能接地）。    例：双电源运算放大器中，负电源引脚标注为VEE（如±15V供电的运放，VEE接-15V）。   #

2. 场效应晶体管（FET/MOS）电路：VDD、VSS

场效应晶体管（如MOS管）通过电压驱动工作，电路中存在“漏极（Drain）”“源极（Source）”等电极。

VDD：

全称“Voltage at Drain Circuit”，指漏极电路的供电电压，通常为场效应型电路的正电源（例如CMOS芯片的供电）。    例：CMOS逻辑芯片（如4000系列）、MOS型微控制器（如早期的8051）的正电源引脚标注为VDD。

VSS：

全称“Voltage at Source Circuit”，指源极电路的供电电压，通常为场效应型电路的地或负电源（类似VEE的作用）。    例：CMOS芯片的接地引脚标注为VSS，在单电源电路中接0V，双电源电路中可能接负电压。

二、扩展含义：功能与极性的细分

随着电路技术的发展，这些符号的含义逐渐泛化，不再严格局限于器件类型，更多用于区分电源的极性、功能或电压等级。

VCC/VDD：均泛指电路的正电源，区别主要在于历史习惯（VCC多见于双极型电路，VDD多见于MOS电路），现代电路中可能混用（例如部分CMOS芯片也标注VCC）。

VEE/VSS：均泛指电路的负电源或接地端（VEE多见于双极型电路的负电源，VSS多见于MOS电路的接地）。

三、其他常见供电符号：功能细分

除了上述四个符号，电路中还有一些衍生符号，用于更精确地描述供电功能：

VCC_3V3/VDD_5V：在多电源电路中，通过后缀标注电压值，例如VCC_3V3表示3.3V正电源，VDD_5V表示5V正电源。

VREF：参考电压（Reference Voltage），指电路中的基准电压源（如ADC/DAC的参考电压），非主供电。

VBAT：电池供电电压（Battery Voltage），常见于便携设备中，标识电池接入的电源引脚。

VPP：编程电压（Programming Voltage），用于芯片编程或烧录的高压电源（如单片机的编程引脚）。

四、总结：符号差异的核心原因

这些符号的区分本质是**历史技术路径的延续**，早期为了明确电路类型（双极型 vs 场效应型）和电极功能而定义，现代电路中虽逐渐简化（部分符号混用），但核心含义仍用于标识电源的极性和功能，帮助工程师快速理解电路的供电逻辑。