特点：国内首颗具备量产条件的氮化镓快充主控制芯片，可实现精准的多级恒压和多级恒流调节，采用第二代Smart-Feedback技术，消除了传统电源的电压电流反馈电路补偿网络的需要，能在3.3V-20V宽范围输出时保持系统稳定性，具备全面的保护功能和故障解除系统自动恢复功能。
应用场景：与美思迪赛半导体集成同步整流的二次侧快充协议SOC控制器搭配，可方便地实现18W-100W的USB PD或QC小体积的快充电源设计，还可兼容联发科（MTK）PE2.0 plus充电器协议。
特点：高度集成的准谐振反激控制器，内部集成有源X2电容器放电功能，可实现低于30mW的无负载功耗，具有专属的谷锁闭电路，确保稳定的谷开关，能在低至第6个谷的情况下运行，并转换为频率折回模式以降低开关损耗，还实施了若干关键保护功能。
应用场景：是目前市面上应用较为广泛的高频PWM控制器，搭配纳微GaNfast芯片等内置驱动的氮化镓功率器件时不需要外置驱动器，采用该芯片的氮化快充充电器有魅族65W 2C1A氮化镓快充、thinkplus 65W氮化镓快充等数十款。
特点：用于半桥谐振转换器的高性能电流模式控制器，实施了600V门极驱动器，简化布局，减少外部部件数量，内置欠电压输入功能，在需要PFC前级的应用中，具有专门的输出来驱动PFC控制器，还提供了过载保护、过电流保护等一套保护功能。
应用场景：已被倍思120W氮化镓+碳化硅PD充电器采用。
特点：国内首个直驱氮化镓功率器件ZVS反激控制器，高性能高可靠性电流控制型PWM开关控制芯片，内置700V高压启动、X-cap放电、可调交流输入Brown in/out等功能，工作频率高达130KHz，全电压范围内待机功耗小于65mW，满足六级能效标准，支持CCM/QR混合模式，拥有完备的各种保护功能，专有ZVS技术降低GaNFET开关损耗，改善EMI特性。
应用场景：采用专有驱动技术，直驱E-MODE GaN功率器件，可提高产品效率及功率密度，简化EMI滤波。
特点：集成650V增强型氮化镓晶体管及驱动器的合封氮化镓芯片，耐压650V，导阻400mΩ，最大漏源极电流7A，单极正电压门极驱动电压0V-6V，支持3.3V和5V控制信号，开关速度超10MHz，具有零反向恢复损耗。
应用场景：采用反激式的电路拓扑可支持20W<Po<65W输出功率的产品应用，可应用在快充电源、LED照明驱动器、PFC电路、LLC转换器、无线电力传输等领域。
特点：集成650V电模GaN HEMT和栅极驱动器及LDO，支持宽VCC范围(0-40V)和可编程开启dV/dt，导阻为200mΩ，最大漏源极电流10A，采用DFN6X8封装工艺，具有零反向恢复损耗。
应用场景：采用反激式或PFC+反激式的电路拓扑，可支持65W≤Po≤100W的产品采用，应用领域与DXC0765S2C类似，包括快充电源、LED照明驱动器等。
